晶体管类型 | PNP | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 2500 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大直流集电极电流 | 4 A | 最大集电极-发射极电压 | 20 V |
最大集电极-发射极饱和电压 | 0.42 V | 最大集电极-基极电压 | 20 V |
最小直流电流增益 | 80 V | 最高工作温度 | +150 °C |
最高工作频率 | 80 MHz | 每片芯片元件数目 | 1 |
类别 | 双极小信号 | 配置 | 单四集电极 |
长度 | 3.1mm | 高度 | 1mm |
【NXP Semiconductors】PBSS301PD T/R,Transistors Bipolar (BJT) PNP 20V 4A LOW SAT
【NXP Semiconductors】PBSS301PD,115,TRANS PNP 20V 4A LOW SAT SOT457
【NXP Semiconductors】PBSS301PX T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS301PZ /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS302ND,115,TRANS NPN 40V 4A LOW SAT SOT457