晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
---|---|---|---|
最大功率耗散 | 2500 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.02 V | 最大直流集电极电流 | 3 A |
最大集电极-发射极电压 | 60 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.515 V |
最大集电极-基极电压 | 60 V | 最小直流电流增益 | 20 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 140 MHz |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
配置 | 单四集电极 | 长度 | 3.1mm |
高度 | 1mm |
【NXP Semiconductors】PBSS303ND T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS303NX T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS303NZ /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS303NZ,135,TRANS NPN 30V 5.5A SOT-223
【NXP Semiconductors】PBSS303PD T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7