晶体管类型 | PNP | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 250 mW | 最大发射极-基极电压 | 6 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | 最大直流集电极电流 | 0.5 A |
最大集电极-发射极电压 | 15 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V |
最大集电极-基极电压 | 15 V | 最小直流电流增益 | 90 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 280 MHz |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
配置 | 单 | 长度 | 1.7mm |
高度 | 0.8mm |
【NXP Semiconductors】PBSS3515M T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS3515M,315,TRANS PNP 15V 500MA SOT883
【NXP Semiconductors】PBSS3515VS T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS3515VS,115,TRANS PNP 15V 1000MA SOT666
【NXP Semiconductors】PBSS3540E T/R,Transistors Bipolar (BJT) LOW VCESAT (BLISS) TAPE-7