晶体管类型 | NPN,PNP | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 700 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | 最大直流集电极电流 | 0.9 (PNP) A, 1 (NPN) A |
最大集电极-发射极电压 | 60 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.33 V |
最大集电极-基极电压 | 80 V | 最小直流电流增益 | 100 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 185 (PNP) MHz, 220 (NPN) MHz |
每片芯片元件数目 | 2 | 类别 | 双极小信号 |
配置 | 双 | 长度 | 3.1mm |
高度 | 1mm |
【NXP Semiconductors】PBSS4160DPN T/R,Transistors Bipolar (BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS4160DPN,115,TRANS NPN/PNP 60V LOW SAT SC-74
【NXP Semiconductors】PBSS4160DS T/R,Transistors Bipolar (BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS4160DS,115,TRANS NPN DL 60V LOW SAT SC-74