晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 1600 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | 最大直流集电极电流 | 3 A |
最大集电极-发射极电压 | 20 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.31 V |
最大集电极-基极电压 | 20 V | 最小直流电流增益 | 150 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 100 MHz |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极功率 |
配置 | 单 | 长度 | 4.6mm |
高度 | 1.6mm |
【NXP Semiconductors】PBSS4320X /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-11
【NXP Semiconductors】PBSS4330PA,115,TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
【NXP Semiconductors】PBSS4330X /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-11
【NXP Semiconductors】PBSS4330X T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7