| 晶体管类型 | PNP | 最低工作温度 | -65 °C |
|---|---|---|---|
| 最大功率耗散 | 350 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | 最大直流集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | 最小直流电流增益 | 160 V |
| 最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 150 MHz |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
| 配置 | 单 | 长度 | 2.2mm |
| 高度 | 1mm |
【NXP Semiconductors】PBSS5140U /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-11
【NXP Semiconductors】PBSS5140U T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS5140V T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS5140V,315,TRANS PNP 40V 1A LO-SAT SOT-666
