晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 625 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.05 V | 最大直流集电极电流 | 1 A |
最大集电极-发射极电压 | 100 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.2 V |
最大集电极-基极电压 | 120 V | 最小直流电流增益 | 80 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 100 MHz |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
配置 | 单四集电极 | 长度 | 2.2mm |
高度 | 1mm |
【NXP Semiconductors】PBSS8110Y T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS8110Z /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-13
【NXP Semiconductors】PBSS8510PA,115,TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061
【NXP Semiconductors】PBSS9110AS,126,TRANS PNP 100V 1A LOW SAT TO92
【NXP Semiconductors】PBSS9110D T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7