描述 | 时钟缓冲器 1:10 CLK DISTR DEV 3-ST OUTPUT | Supply Voltage - Min | 3 V |
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最大功率耗散 | 650 mW | 最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C | 封装 / 箱体 | SO-24 |
封装 | Tube | 安装风格 | SMD/SMT |
工厂包装数量 | 30 | 零件号别名 | PCK351D,112 |
【NXP Semiconductors】PCK351D,112,IC CLK BUFFER 1:10 125MHZ 24SOIC
【NXP Semiconductors】PCK351D,118,IC CLK BUFFER 1:10 125MHZ 24SOIC
【NXP Semiconductors】PCK351DB,时钟缓冲器 1:10 CLK DISTR DEV 3-ST OUTPUT
【NXP Semiconductors】PCK351DB,112,IC CLK BUFFER 1:10 125MHZ 24SSOP
【NXP Semiconductors】PCK351DB,118,IC CLK BUFFER 1:10 125MHZ 24SSOP
【NXP Semiconductors】PCK351DB-T,时钟缓冲器 1:10 CLK DISTR DEV 3-ST OUTPUT
【NXP Semiconductors】PCK351D-T,时钟缓冲器 1:10 CLK DISTR DEV 3-ST OUTPUT
【NXP Semiconductors】PCK3807AD,时钟缓冲器 1:10 LVTTL CLK DISTR DEVICE