| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | 晶体管类型 | LDMOS |
|---|---|---|---|
| 频率 | 2GHz | 增益 | 11dB |
| 电压 - 测试 | 13.6V | 额定电流 | 5A |
| 噪音数据 | - | 电流 - 测试 | 150mA |
| 功率 - 输出 | 10W | 电压 - 额定 | 40V |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） | 供应商设备封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 497-13044-5PD20010-E-ND |
【STMicroelectronics】PD20010S-E,TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
【STMicroelectronics】PD20010STR-E,TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
【STMicroelectronics】PD20010TR-E,TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
【STMicroelectronics】PD20015-E,TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
【STMicroelectronics】PD20015S-E,TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
