| 描述 | TRANSISTOR PNP/PNP RES SOT666 | 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k | 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 5mA，5V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 100mV @ 250?A，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1?A | 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-6458-6 |
【NXP Semiconductors】PEMD10 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD10,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
【NXP Semiconductors】PEMD12 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD12,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666