| 描述 | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 47k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 150mV @ 500?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 1?A |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 934058918115PEMD14 T/RPEMD14 T/R-ND |
【NXP Semiconductors】PEMD15 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD16 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) DOUBLE RET
【NXP Semiconductors】PEMD16,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
【NXP Semiconductors】PEMD17 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD18 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7