| 描述 | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 100k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 100k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 150mV @ 250?A，5mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 1?A |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 934058926115PEMD24 T/RPEMD24 T/R-ND |
【NXP Semiconductors】PEMD3 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD3,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
【NXP Semiconductors】PEMD30 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD30,115,TRANS NPN/PNP W/RES 50V SS-MINI
【NXP Semiconductors】PEMD4 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7