| 描述 | PEMD4-Q/SOT666/SOT6 | 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500μA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1μA | 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-666 |
【NXP Semiconductors】PEMD6 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD6,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
【NXP Semiconductors】PEMD9 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PEMD9,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
