| 描述 | TVS DIODE 12VWM 35VC DFN1006BD-2 | 类型 | 齐纳 |
|---|---|---|---|
| 单向通道 | 1 | 双向通道 | - |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 12V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 14.7V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 35V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 5A（8/20μs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | - | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 电信 | 不同频率时电容 | 38pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-882 | 供应商器件封装 | DFN1006BD-2 |
【NXP Semiconductors】PESD12VS2UAT,215,DIODE DUAL ESD PROTECTION SOT23
【NXP Semiconductors】PESD12VS2UQ,115,DIODE DUAL ESD PROTECTION SOT663
【NXP Semiconductors】PESD12VS2UT,215,DIODE DUAL ESD PROTECTION SOT23
【NXP Semiconductors】PESD12VS4UD T/R,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7
【NXP Semiconductors】PESD12VS4UD,115,DIODE ARRAY ESD 12V 6-TSOP
【NXP Semiconductors】PESD12VS5UD,115,DIODE ARRAY ESD 12V 6-TSOP
【NXP Semiconductors】PESD12VU1UT,215,DIODE ESD PROTECTION SOT23