描述 | TVS DIODE 3.3VWM 10VC DFN1006-2 | 类型 | 齐纳 |
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单向通道 | - | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 4.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 10V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 5A(8/20μs) |
功率 - 峰值脉冲 | - | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 汽车级 | 不同频率时电容 | 13pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-882 | 供应商器件封装 | DFN1006-2 |
【NXP Semiconductors】PESD3V3V4UF T/R,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7
【NXP Semiconductors】PESD3V3V4UF,115,DIODE VLOW ESD PROTECTION 6XSON
【NXP Semiconductors】PESD3V3V4UG,115,DIODE VLOW ESD PROTECTION SOT353
【NXP Semiconductors】PESD3V3V4UK,132,DIODE QUAD ESD PROTECT SOT891
【NXP Semiconductors】PESD3V3V4UW T/R,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7
【NXP Semiconductors】PESD3V3V4UW,115,DIODE VLOW ESD PROTECTION SOT665