| 描述 | TVS DIODE 5VWM 12VC DFN1006B-3 | 类型 | 齐纳 |
|---|---|---|---|
| 单向通道 | - | 双向通道 | 2 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 5V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 5.5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 12V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 1.5A（8/20μs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | - | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 汽车级 | 不同频率时电容 | 2.9pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | DFN1006B-3 |
【NXP Semiconductors】PESD5V0U2BT,215,DIODE ULOW ESD PROTECTION SOT-23
【NXP Semiconductors】PESD5V0U4BF,115,DIODE ESD PROTECT VLOW 6-XSON
【NXP Semiconductors】PESD5V0U4BW,115,DIODE ARRAY ESD BI-DIR SOT665
【NXP Semiconductors】PESD5V0U5BF,115,DIODE ARRAY ESD BI-DIR SOT886
【NXP Semiconductors】PESD5V0U5BV,115,DIODE ARRAY ESD BI-DIR SS MINI6