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  • PH3855L,115

PH3855L,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 55V 24A LFPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs11.7nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds765pF @ 25V
功率 - 最大50W安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
包装带卷 (TR)其它名称934058855115PH3855L T/RPH3855L T/R-ND

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