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PH5525L T/R

制造商：NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性关于NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)

描述	MOSFET TRENCH G4- TAPE 7	漏极连续电流	81.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0055 Ohms	配置	Single Triple Source
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFPAK	封装	Reel
下降时间	17 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	62.5 W	上升时间	55 ns
工厂包装数量	1500	典型关闭延迟时间	28 ns
零件号别名	PH5525L,115

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