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  • PHB11N06LT,118

PHB11N06LT,118

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 55V 10.3A SOT404FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 5.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs5.2nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
功率 - 最大33W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称934055182118PHB11N06LT /T3PHB11N06LT /T3-ND

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