描述 | MOSFET N-CH 30V 68.9A SOT428 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 68.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.6nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
功率 - 最大 | 111W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934057020118PHD63NQ03LT/T3PHD63NQ03LT/T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHD63NQ03LT/T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD66NQ03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD66NQ03LT,118,MOSFET N-CH 25V 66A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD71NQ03LT,118,MOSFET N-CH 30V 75A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD71NQ03LT/T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD78NQ03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD78NQ03LT,118,MOSFET N-CH 25V 75A SOT428