| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) RAIL BIPOLAR | 最大直流电集电极电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10 | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-78 | 封装 | Rail |
| 集电极连续电流 | 4 A | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 75000 mW | 工厂包装数量 | 50 |
| 零件号别名 | PHE13005,127 |
【NXP Semiconductors】PHE13005X/01,127,Transistors Bipolar (BJT) Silicon diffused pwr transistor
【NXP Semiconductors】PHE13007,Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHE13009,Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHE13009,127,TRANS NPN 400V 12A TO-220AB
【NXP Semiconductors】PHE13009/DG,127,Transistors Bipolar (BJT) NPN POWER TRANSISTOR