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  • PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.33638
描述MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 3A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs15.3nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds950pF @ 10V
功率 - 最大4.17W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称934056831518PHKD6N02LT /T3PHKD6N02LT /T3-ND

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