| 描述 | MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 37.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 18A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 53.7nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 62.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-HVSON |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934057308518PHM30NQ10T /T3PHM30NQ10T /T3-ND |
