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  • PHN210T,118

PHN210T,118

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.26
描述MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 20V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称934055451118PHN210T /T3PHN210T /T3-ND

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