| 描述 | TVS DIODE | 类型 | 齐纳 |
|---|---|---|---|
| 单向通道 | - | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 623V | 电压 - 击穿（最小值） | 735V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 1.138kV | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 13.2A |
| 功率 - 峰值脉冲 | 15000W（15kW） | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 电信 | 不同频率时电容 | - |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 | 供应商器件封装 | CASE-11 |
【NXP Semiconductors】PHP45N03LTA,127,MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB
【NXP Semiconductors】PHP45NQ10T,127,MOSFET N-CH 100V 47A SOT78
【NXP Semiconductors】PHP45NQ10TA,127,MOSFET N-CH 100V 47A SOT78
【NXP Semiconductors】PHP45NQ11T,127,MOSFET N-CH 105V 47A SOT78
【NXP Semiconductors】PHP45NQ15T,127,MOSFET N-CH 150V 45.1A SOT78
