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  • PHT11N06LT,135

PHT11N06LT,135

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 55V 10.7A SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
功率 - 最大8.3W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SC-73
包装带卷 (TR)其它名称934054590135PHT11N06LT /T3PHT11N06LT /T3-ND

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