描述 | MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A | 漏极连续电流 | 3.5 A |
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配置 | Single Dual Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-223 |
封装 | Reel | 下降时间 | 30 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1800 mW |
上升时间 | 30 ns | 工厂包装数量 | 4000 |
典型关闭延迟时间 | 30 ns | 零件号别名 | PHT8N06LT,135 |
【NXP Semiconductors】PHT8N06LT,135,MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
【NXP Semiconductors】PHU101NQ03LT,127,MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
【NXP Semiconductors】PHU108NQ03LT,127,MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
【NXP Semiconductors】PHU11NQ10T,127,MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
【CBM America Corporation】PHU-131P.HOLDER,PAPER HANDLING UNIT W/ONE SENSOR