| 描述 | 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 4.8nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 516pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.7W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
