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  • PJQ1902_R1_00001

PJQ1902_R1_00001

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:1 : ¥3.50000剪切带(CT)8,000 : ¥0.74075卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:不适用于新设计
产品属性
描述30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)500mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.87 nC @ 4.5 VVgs(最大值)±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)34 pF @ 15 VFET 功能-
功率耗散(最大值)700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装3-DFN(0.6x1)
封装/外壳3-UFDFN

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