工作温度范围 | -65°C 到 +150°C | 封装类型 | SSOT |
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针脚数 | 6 | SVHC(高度关注物质) | No SVHC (18-Jun-2012) |
SMD标号 | 9F | 功耗 | 330mW |
封装类型 | SSOT-6 | 总功率, Ptot | 330mW |
最大连续电流, Ic | 1A | 模块配置 | 双 |
电压, Vcbo | 40V | 电流, Ic hFE | 2A |
直流电流增益 hfe, 最小值 | 50 | 表面安装器件 | 表面安装 |
饱和电??, Vce sat 最大 | 80mV |
trench-mos逻辑电平。这个电平与选定的电机有关。对于24 v电机,mosfet的vds需要至少40 v,而漏电流必须足够大,以满足电机的启动电流。由于系统程序代码设计了软启动机制(对于小台阶的启动需要一定的速度),漏电流在一定程度上有所减小。ph20100s能够处理的最大漏极电流是34.3 a,峰值电流是137 a,采用表面贴装sot669(lfpak)封装。 4.4 mosfet驱动的选择 mosfet驱动用于提升控制器lpc2141输出驱动电机的电压。本文选择nxp公司的pmd3001d和pmgd400un作为mosfet,驱动电路如图6所示。 4.5电机速度的调整 lpc2141集成6通道32位pwm定时器,通过设定不同的pwm占空比数值来控制电机的转速,通过usb接口读取电机实际的转速。 5 软件设计 本系统软件部分包括3部分:用户接口(gui)、usb设备驱动和bldc电机控制代码。 5.1 用户接口 windows的用户界面可控制无刷直流电机演示,如图7所示。该应用程序软件是bldc_usbgui.exe,采用mieros ...
【NXP Semiconductors】PMD3001D T/R,功率驱动器IC MOSFET DRIVER TAPE 7
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