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  • PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.113
描述MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 500mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)0.95V @ 250µ:A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.68nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds83pF @ 10V
功率 - 最大330mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-666
包装带卷 (TR)其它名称PMDT290UNE115

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