| 描述 | DIODE SIGE 120V 1A CFP3 | 技术 | SiGe（硅锗） |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 120 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 840 mV @ 1 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 6 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30 nA @ 120 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 36pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-123W | 供应商器件封装 | CFP3 |
| 工作温度 - 结 | 175°C |
