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  • PMGD8000LN,115

PMGD8000LN,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C125mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 欧姆 @ 10mA,4VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs350pC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds18.5pF @ 5V
功率 - 最大200mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装6-TSSOP
包装带卷 (TR)

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