| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 646 pF @ 30 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 560mW（Ta），6.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
【Panduit】PMN6-35R-2K,端子 Metric Ring Terminal nylon insulated, 4
【Panduit】PMN6-3R-2K,端子 Metric Ring Terminal nylon insulated, 4
【Panduit】PMN6-4F-2K,端子 Metric Fork Terminal nylon insulated, 4
【Panduit】PMN6-4R-2K,端子 Metric Ring Terminal nylon insulated, 2
【Panduit】PMN6-5F-2K,端子 Metric Fork Terminal nylon insulated, 4
【Panduit】PMN6-5R-2K,端子 Metric Ring Terminal nylon insulated, 4