描述 | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 210 毫欧 @ 1.2A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 950mV @ 250A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 365pF @ 10V |
功率 - 最大 | 335mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | TO-236AB |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | PMV160UP215 |
【Panduit】PMV1-6FB-3K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated
【Panduit】PMV1-6FB-CY,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated
【Panduit】PMV1-6RB-3K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated
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