描述 | MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 250 毫欧 @ 500mA,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 330pF @ 20V |
功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | TO-236AB |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-8112-6 |
【Panduit】PMV2-35RB-3K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3FB-3K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3FB-C,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3RB-3K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3RB-X,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1