| 描述 | MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180 pF @ 20 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 615mW（Ta），7.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
【Panduit】PMV6-35RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-3RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-3R-L,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-3R-X,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-4FB-2K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-4F-L,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2
【Panduit】PMV6-4RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4