| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 74 毫欧 @ 2.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 7.7 nC @ 4 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 744 pF @ 20 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
【Panduit】PMV6-6FB-2K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-6F-L,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2
【Panduit】PMV6-6RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-6R-L,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-6R-X,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-8RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-8R-L,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-8R-X,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4