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  • PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 3.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1478pF @ 10V
功率 - 最大2.3W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-TSSOP
包装Digi-Reel?其它名称568-2361-6

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