您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > pn100_q

PN100_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 100 uA at 1 V
配置Single最大工作频率250 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Bulk
集电极连续电流0.5 A最小工作温度- 55 C
功率耗散625 mW

pn100_q的相关型号: