| 描述 | TRANSISTOR GP PNP 45V TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 400mV @ 20mA，200mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 300 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大 | 625mW | 频率 - 转换 | 250MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
采用国家半导体公司的lmv2011精密运算放大器。参考电压由该公司的lm4041-1.2器件产生，它提供固定的1.225v参考电压，该器件的电流设定为约10ma，正处于其工作范围的中间。 vbias由两个精度为1%的电阻产生，电压值设定为约1v。vref和vbias之间的差值除以rg，就可得出控制环封闭的光电二极管电流。要注意的是，vbias须小于vref，否则电路不能工作。如果光电二极管电流为10ma，那么rg应该为0.2×10e-6或20.0k。 采用一个4.7k的电阻来限制pn200a pnp晶体管基极电流，该电阻将电流限定在1ma左右。该晶体管的（值约为100，因此它所提供的最大电流约为100ma，这已经超出小型sot-23封装的散热范围。为防止晶体管的过高热量，将一个限流电阻与led或激光二极管串联，使该二极管达到最大工作负荷，从而限定晶体管集电极的电流。如果需要更大的电流，则须选用集电极电流大的晶体管，而且要采用sot-223等较大的封装。为了限定电路带宽以维持稳定性，选用一个15pf的电容与光电二极管电容并联（在1.2vbias时其电容大小也约为15pf），从而将放大 ...
【Fairchild Semiconductor】PN200A_D26Z,TRANS GP PNP 45V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】PN200A_D74Z,TRANS GP PNP 45V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】PN200A_D75Z,TRANS GP PNP 45V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】PN200A_J18Z,TRANS GP PNP 45V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】PN200A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】PN200RM,TRANSISTOR GP PNP 45V TO-92
