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PN2369_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) Switching Transistor NPN直流集电极/Base Gain hfe Min40 at 10 mA at 1 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk集电极连续电流0.2 A
最小工作温度- 55 C功率耗散350 mW

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