您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > pn3566_q

PN3566_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 2 mA at 10 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk最小工作温度- 55 C
功率耗散625 mW

pn3566_q的相关型号: