您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > pn3646_q

PN3646_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) Switching Transistor NPN直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 30 mA at 0.4 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk最小工作温度- 55 C
功率耗散350 mW

pn3646_q的相关型号: