描述 | RF FET 65V 1800W | 技术 | LDMOS |
---|---|---|---|
配置 | 双 | 频率 | 1.8MHz ~ 470MHz |
增益 | 24dB | 电压 - 测试 | - |
额定电流(安培) | 100mA | 噪声系数 | - |
电流 - 测试 | - | 功率 - 输出 | 1800W |
电压 - 额定 | 182 V | 安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-979A | 供应商器件封装 | NI-1230-4H |
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