描述 | PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12.5mOhm @ 10A,5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 22.4nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2953pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 64W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205,8-LFPAK56 |
供应商器件封装 | LFPAK56D |