描述 | MOSFET N-CH LFPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 51A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 16.3 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2744pF @ 50V |
功率 - 最大 | 117W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK | 供应商设备封装 | LFPAK,Power-SO8 |
包装 | 带卷 (TR) |