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  • PSMN016-100YS,115

PSMN016-100YS,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH LFPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C51A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.3 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs54nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2744pF @ 50V
功率 - 最大117W安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
包装带卷 (TR)

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