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  • PSMN026-80YS,115

PSMN026-80YS,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 80V 34A LFPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C34A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27.5 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 40V功率 - 最大74W
安装类型表面贴装封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装LFPAK,Power-SO8包装带卷 (TR)

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