| 描述 | PSMN045-100HL/SOT1205/LFPAK56D | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 18.5nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2152pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 53W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
【NXP Semiconductors】PSMN050-80BS,118,MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN050-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 22A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN057-200B,118,MOSFET N-CH 200V 39A SOT404
【NXP Semiconductors】PSMN057-200P,127,MOSFET N-CH 200V 39A SOT78
【NXP Semiconductors】PSMN059-150Y,115,MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK