描述 | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.3 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.2V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 243nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 14850pF @ 15V |
功率 - 最大 | 338W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 | 其它名称 | 568-6715 |
【NXP Semiconductors】PSMN1R1-30PL,127,MOSFET N-CH 30V 120A TO220
【NXP Semiconductors】PSMN1R1-40BS,118,MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R2-25YL,115,MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R2-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R2-30YLC,115,MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK